الخلاصة

في هذا العمل تم تحضيرالاستئصال بالليزر أكسيد الزنك الإنديوم IZO NP ودرست خصائصه. اذ حضرت IZO بنجاح بواسطة الاستئصال باليزر الانديوم ياك النبضي ND:YAG في السائل PLAL) ( تحت طاقة ليزر (80) mJ و الطول الموجي 1064 nm مع ازمان استئصال مختلفه min ( 2, 3, 4 and 5 .) وأكد مطياف فورييه للأشعة تحت الحمراء) (FTIR تشكيل اصرة جسيمات نانويه (IZO) وشدة امتصاص الاصرة كانت متناسبا مع طاقة الليزر. واظهرت حيود الاشعة السينية ( (XRD ان بلورة ZnO له هيكل ترتيب بلوري سداسي مع التوجه التفضيلي ) 002 ( عند تركيز الإنديوم العالي، وقد تحسنت جودة العينات المحضرة عند زيادة تركيز الإنديوم. تم إجراء فحص الطبغرافية عن طريق المجهر الإلكتروني الماسح ) SEM ( والمجهر الإلكتروني النافذ ) TEM ( ويلاحظ من صور ال SEM تغيرفي التركيب من شكل الزهرة (Flower) الى قضبان (Rods) عند 32% In ، اثبت فحص المجهر الإلكتروني ) TEM ( أن حجم الجسيمات يزداد مع زيادة نسبة الاشابه ويتغير التشكل من الجسيمات إلى مجالات كثيفة ثم NPs . وكشف قياس (EDS) وجود الإنديوم والزنك والأكسجين. ازداد طيف الامتصاص البصرية مع زيادة تراكيز In بينما قلت الفجوة. وأظهرت نتيجة photoluminescence انبعاث واسع أخضر من الجسيمات النانوية IZO . واظهرت القياسات )سعة - جهد( وجود علاقة خطية بين 1/C2 والجهد ووجد ان قيمة جهد البناء الداخلي في المدى (0.39–0.52) V . تبين الخصائص الكهربائية لل IZO/Si نسبة تقويم جيدة وتغيرت قيمة عامل المثالية من 13.12 الى 2.24 اعتمادا على تركيز الاشابة. (In) ازدادت الاستجابة ل IZO/Si من 0.73 A / W عند 350 nm إلى 7.54 A / W عند 500 nm مع كفاءة كمية متغيرة من 27.71% الى % 242.11 ، وكشفية تباينت من 2.85* الى 6.22* ، بزيادة تركيز الإنديوم من 0% إلى 32% .